用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV预处理方法 _科研资讯_化工专家技术

用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV预处理方法

发布时间：2009--0-8-

用UV-激发气体(如氯或氮)预处理于半导体底物上形成的氧氮化物或氧化物层，以改善层表面的状况和增加用于继后的四氮化三硅沉积的核化点的密度。这种预处理显示减少了较薄的四氮化三硅膜(物理厚度低于36?，或甚至低于20?)的均方根表面糙度，该四氮化三硅薄膜是用化学气相沉积法(CVD)沉积在氧氮化物层上的。


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