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发布时间：2009--1-1- |
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| 用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，涉及一种全新的氢还原生产多晶硅的工艺。首先，在0.5-0.8大气压的干燥惰性气体保护下对三氯氢硅(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)进行精炼纯化，其纯度达到9-10个9；同时对氢气也进行纯化到5-6个9；然后，将上述物料按照硅转化率0.08％及氯氢比0.15％所规定的流量，喷入氢还原炉，其还原温度控制在1145-1155℃，炉身、炉底温度保持150℃；最后，在炉内硅棒上制得低成本、高质量、高产率的产品多晶硅。本发明充分利用生产过程产生的SiCl4、HCl等，达到既保证高质量、高产率，又降低原材料工业硅、氢气及氯气的消耗，从而降低了成本。 |
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