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卤素化合物的成膜方法及成膜装置和氟化镁膜
发布时间:2009--1-2-
 本发明提供一种即使卤素元素从膜形成材料中分离也能一边抑制由卤素元素的缺乏所引起的弊端一边进行成膜的卤素化合物的成膜方法及成膜装置。具体地说,使卤素化合物构成的膜的材料从蒸发源(3)蒸发,同时通过从高频电源单元(11)输出并经过衬底支架(2)而供给的高频功率使之离子化,使离子化的膜的材料被析出到衬底(5)上进行成膜。而且,通过从偏置电源单元(12)输出并施加到衬底支架(2)上的偏置电压,将从卤素化合物的离子中分离的卤素元素的离子吸入衬底(5)。

 

 
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