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制造NAND闪存的单隧道栅极氧化工艺

发布时间：2010--0-1-

一种用以制造NAND存储器串的单隧道栅极氧化工艺，其中选择晶体管和浮栅存储晶体管的栅极氧化物(24)以单一氧化步骤制成。该选择栅极晶体管和浮栅晶体管所具有的氧化物厚度为85?～105?。以单隧道栅极方法而言，为了使NAND存储器串功能正常，必须小心选择中度掺杂源极/漏极区域(62)的注入条件。在一实施例中，中度掺杂源极/漏极区域(62)以砷掺杂至浓度为10¹³至10¹⁴/cm²。


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