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发布时间：2006--0-1- |
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| 【申请（专利）号】 |
CN85100232 |
【申请日】 |
1985.04.01 |
| 【名称】 |
惰性物质覆盖法合成聚甘醇二胺 |
| 【公开（公告）号】 |
CN85100232 |
【公开（公告）日】 |
1986.07.09 |
| 【主分类号】 |
C07C85/02 |
【分类号】 |
C07C85/02 |
| 【颁证日】 |
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【优先权】 |
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| 【申请（专利权）人】 |
武汉大学 |
【地址】 |
湖北省武汉市武昌珞珈山 |
| 【发明（设计）人】 |
黄载福 |
【国际申请】 |
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| 【国际公布】 |
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【进入国家日期】 |
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| 【专利代理机构】 |
武汉大学专利事务所 |
【代理人】 |
刘承德 |
| 【摘要】 |
| 一种不用溶剂直接合成聚甘醇二胺的方法，以聚甘醇二取代物ZOn与邻苯二甲酰亚胺为原料，(式中Z＝CH3-SO2)上面覆盖惰性物质，在无溶剂条件下反应，再用酸直接水解，生成聚甘醇二胺盐，最后加有机碱使之转化为游离聚甘醇二胺。方法的特点是原料易得、操作简便、安全、成本低、产率高。 | |
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