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发布时间：2010--1-2- |
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| 本发明属于一种大截面磷酸二氢钾（简称ＫＤＰ）单晶体快速生长法。采用降温法或恒温流动法、恒温蒸发补液法，在ＫＤＰ的饱和溶液中添加乙醇胺来提高ＫＤＰ提高（Ｘ．Ｙ．Ｚ）三个方向的生长速度，使ＫＤＰ晶体在这种稳定的溶液条件下实现全方位的快速生长。同时有效地抑制了ＫＤＰ溶液在通常生长条件下容易生长细菌的现象，也提高了ＫＤＰ在水中的溶解度，提高了培养缸内原有的溶质容量。得到了ＫＤＰ晶体在（Ｘ．Ｙ．Ｚ）三个方向上，每天７—１１ｍｍ以上的生长速度，在１００００ｍｌ的培养缸中，生长出ＫＤＰ晶体尺寸（Ｘ＝Ｙ＝Ｚ）１１０×１１０×１１０（ｍｍ）以上的优质晶体。 |
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