|
|
|
发布时间：2011--0-3- |
|
| 一种在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟(In2O3)薄膜的方法，属于光电子材料和半导体材料及其制备的技术领域。在大气压强和没有催化剂的条件下，用热蒸发工艺蒸发氧化铟-石墨混合物中的氧化铟，通过氧化铟蒸汽在硅片上的沉积，在硅片上生长大面积的微米级块状结构的氧化铟薄膜。有以下特点：对设备的要求低，压力只需要是常压，对载气的要求不高，只需要N2，和方法简单、成本低、重复性好，且能在硅片上大面积生长微米级块状结构的氧化铟。特别适于作为阴极材料用在场发射微电子器件中。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
| 浙江网盛科技股份有限公司对中国化工网上刊登之所有信息不声明或保证其内容之正确性或可靠性；您于此接受并承认信赖任何信息所生之风险应自行承担。浙江网盛科技股份有限公司，有权但无此义务，改善或更正所刊登信息任何部分之错误或疏失。 |
|
 |
|
|
