本发明属于一种石英晶体的生长工艺，本发明的任务是提供一种采用水热温差结晶法生长出一种石英晶体，使其指标达到：(1)腐蚀隧道密度：＜100条/cm²(2)Q值：≥2.6×10⁶；(3)包裹体：Ia类以上；(4)光学均匀性：Δn≤5×10^-6；(5)光谱透射比(波长800-2500mm)：＞90％；产品批量百分百出口。据用户反映，利用该光学级低腐石英晶体材料制成的低腐滤波器元件用在电子照相机，个人电脑用CCD相机，监视系统用CCD相机，影视电话机上各项技术指标稳定，效果更佳。并且价低物美，深受广大用户欢迎！

权利要求书 1.一种光学级低腐蚀隧道密度石英的生长工艺是采用通常的石英晶体的水热温差结晶法：首先将籽晶、石英石原料、离子水(其电导率＜3×106/欧姆厘米)及生长液主液(Na2CO3，NaOH)当量浓度和添加剂Li(OH)3，NaNO2当量浓度筛选、清洗、配制准备好备用；其次将原料筐、籽晶架、档板、高压釜按原普通石英晶体生长的传统方法清洗；然后同样按常规方法在清洗好的釜内注入准备好的生长液，缓缓放入装有石英石原料的料筐和在釜上部安装上挂有籽晶的籽晶架，将釜口密封；装釜完毕后，启动控温系统，加热高压釜；石英晶体的水热温差结晶法是在高压釜内一定温度和压力下进行，其特征在于： a：籽晶首先筛选了光学级低腐蚀隧道密度小于50条/cm2石英晶体，然后采用高精度多刀切割机，在辅助材料金刚砂为600目，转速为100次/分钟这样缓慢低速率条件下切割，使其籽晶表面的定向精度小于5分； b：石英石原料精选透明度不小于90％、二氧化硅成分不小于99.8％，颗粒度径长为2cm左右的石英石； c：生长液(化学试剂)采用NaOH当量浓度为1.3N±0.1N，添加剂采用 LiOH·H2O当量浓度为0.07±0.01N和NaNO2当量浓度为0.05±0.01N； d：釜内的填充度为83％：即装入高压釜内溶液体积应为有效体积乘以填充度83％，也就是V水＝(V釜内总体积-V原料筐体积-V籽晶架体积-V原料体积-V籽晶体积)83％； e：高压釜加热：首先采用缓慢升温后使其在上部生长区(高压釜上部悬挂籽晶区)温度为345℃、下部溶解区(高压釜内下部放置石英石原料作为营养料区)温度为380℃、高压釜底部温度为390℃和压力P＝140mpa的高压条件下恒温120天，且晶体生长温度温差控制精度为±0.1℃； f：降温采用缓慢降温，即用长达120小时将高压釜内温度缓慢降至60℃后，开釜取晶。