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发布时间：2006--0-4- |
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| 【申请（专利）号】 |
CN200310116889.1 |
【申请日】 |
2003.12.02 |
| 【名称】 |
四氧化三钴的低温合成方法 |
| 【公开（公告）号】 |
CN1623908 |
【公开（公告）日】 |
2005.06.08 |
| 【主分类号】 |
C01G51/04 |
【分类号】 |
C01G51/04 |
| 【颁证日】 |
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【优先权】 |
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| 【申请（专利权）人】 |
财团法人工业技术研究院 |
【地址】 |
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号 |
| 【发明（设计）人】 |
李日琪;林俊仁;许哲源 |
【国际申请】 |
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| 【国际公布】 |
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【进入国家日期】 |
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| 【专利代理机构】 |
上海智信专利代理有限公司 |
【代理人】 |
李柏 |
| 【摘要】 |
| 本发明是有关一种合成四氧化三钴的方法，尤其有关一种四氧化三钴的低温合成方法。本发明方法是在将沉淀剂加入硫酸钴、氯化钴或硝酸钴的水溶液形成沉淀物后，不加予过滤即送入一高压釜或具回流装置的反应器于50～100℃的温度及一氧化剂存在下进行氧化反应，即可氧化合成四氧化三钴。 |
| 【主权项】 |
| 1.一种合成四氧化三钴粉体的方法，包含下列步骤： a)将一水可溶的二价钴化合物与一碱金属氢氧化物、碱金属盐、氢氧化铵或铵盐于水中进行反应而形成氢氧化钴； b)将步骤a)所获得反应混合物与一氧化剂于50～100℃的温度及一回流或密闭高压的条件下进行反应，而形成四氧化三钴粉体； c)固液分离步骤b)所获得的反应混合物；及 d)水洗及干燥步骤c)所获得四氧化三钴粉体。 | |
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