|
|
|
发布时间：2007--1-2- |
|
| 本发明涉及一种通过电渗析再生含有次磷酸根离子的化学镀金属沉积浴液，优选镍沉积浴液的方法和装置。在已知的方法和装置中，将浴液导入具有阴极Ka和阳极An的第一电渗析单元E1中的稀释舱室Dila中，这些舱室在阴极一侧通过单一选择的阳离子交换隔膜KS和在阳极一侧通过阴离子交换隔膜A与电渗析单元中的浓缩舱室Kola、Kolb相分离，稀释舱室Dila和浓缩舱室Kola、Kolb互相交替排列，根据本发明的方法和装置，其不同点在于，浴液同时导入具有阴极Ka和阳极An的一个第二电渗析单元E2的稀释舱室Di2a、Di2b中，这些舱室在阴极一侧通过单一选择的阴离子交换隔膜AS和在阳极一侧通过阴离子交换隔膜A与第二电渗析单元E2的浓缩舱室Ko2a相分离， ·W·巴尔德温查尔斯·L·巴迪诺中国国际贸易促进委员会专利商标事务所王景林提供半导体原材料的方法和系统一种向用于生长单晶半导体材料的晶体提拉装置提供原材料的方法。通常，此方法包括：在具有晶体提拉装置的设备处接受所述原材料的散装容器，并将散装容器设置成借助重力从散装容器送料的位置。将散装容器运送至晶体提拉装置，并直接从散装容器发送预定量的原材料进入晶体提拉装置。也公开了供给原材料的设备和系统。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
| 浙江网盛科技股份有限公司对中国化工网上刊登之所有信息不声明或保证其内容之正确性或可靠性；您于此接受并承认信赖任何信息所生之风险应自行承担。浙江网盛科技股份有限公司，有权但无此义务，改善或更正所刊登信息任何部分之错误或疏失。 |
|
 |
|
|
